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Si3442CDV
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
20
5
V GS = 10 V thru 3 V
4
15
3
10
5
V GS = 2 V
2
T C = 25 ° C
1
T C = 125 ° C
0
0
T C = - 55 ° C
0
0.5 1 1.5
2
0
0.5
1
1.5
2
0.047
0.039
0.031
0.023
0.015
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
460
345
230
115
0
C rss
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
C oss
0
5
10
15
20
0
5 10 15
20
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
10
1.4
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
I D = 6.5 A
V DS = 5 V
1.2
I D = 6.5 A
V GS = 4.5 V
6
4
V DS = 10 V
V DS = 16 V
1.0
V GS = 10 V
0.8
2
0
0.6
0
2
4 6 8
10
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature ( ° C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 62654
S12-0976-Rev. A, 30-Apr-12
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
www.vishay.com
3
This datasheet is subject to change without notice.
THE PRODUCT DESCRIBED HEREIN AND THIS DATASHEET ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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